消息称内存原厂考虑 HBM4 采用无助焊剂键合，进一步降低层间间隙

摘要： 万众瞩目的英雄联盟全球总决赛正赛瑞士轮终于在月日正式拉开帷幕来自全球各大赛区的种子战队以及杀穿了入围赛的战队将于欧洲角逐出本年度最强随着零封打赢内战挺进总决赛之后我们又迎来了内战由...

万众瞩目的英雄联盟S14全球总决赛正赛瑞士轮，终于在10月3日，正式拉开帷幕。来自全球各大赛区的种子战队，以及杀穿了入围赛的战队，将于欧洲角逐出本年度最强。随着BLG零封WBG，打赢LPL内战，挺进总决赛之后；我们又迎来了LCK内战，由GEN对阵T1。就是不知道这一次，谁会笑到最后。跌宕起伏稳住局势，T1成功挺进总决赛！T1...

IT之家 11 月 14 日消息，据韩媒 ETNews 报道，三星电子、SK 海力士、美光均对在下代 HBM4 内存中采用无助焊剂键合（Fluxless Bonding）技术抱有兴趣，正在进行技术准备。

SK 海力士此前已宣布了 16 层堆叠 HBM3E，而从整体来看 HBM 内存将于 HBM4 开始正式转向 16 层堆叠。由于无凸块的混合键合技术尚不成熟，传统有凸块方案预计仍将是 HBM4 16Hi 的主流键合技术。

更多的 DRAM Die 层数意味着 HBM4 16Hi 需要进一步地压缩层间间隙，以保证整体堆栈高度维持在 775 μm（IT之家注：即 0.775 mm）的限制内。

在这一背景下，三大内存原厂均注意到了现有 HBM 键合工艺使用的助焊剂：助焊剂可清理 DRAM Die 表面的氧化层，保证键合过程中机械和电气连接不会受到氧化层影响；但助焊剂的残余也会扩大各 Die 之间的间隙，提升整体堆栈高度。

消息人士表示，三大 HBM 内存原厂对无助焊剂键合的准备程度不同：美光在与合作伙伴 工艺方面最为积极、SK 海力士考虑导入、三星电子也对此密切关注。